[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201180003079.8 | 申请日： | 2011-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102473640A | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 泷井谦昌;甲斐隆行;齐藤太志郎;大熊崇文 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘文海 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在具有贯通电极(19)的半导体装置及其制造方法中，具有以包围半导体基板(5)的背面的包括贯通电极(19)在内的再配线层(18)周围的方式将配线彼此绝缘的绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b)，由此，为了将配线间绝缘，仅将存在于绝缘部形成用的虚设槽孔部(7b)的底部的金属层除去即可，能够实现处理时间的缩减。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：在半导体基板的表面形成的电子器件；与所述电子器件导通的衬垫电极；沿着厚度方向贯通所述半导体基板的贯通电极；在所述半导体基板的背面形成而将所述贯通电极彼此连接的配线层；与所述配线层或所述贯通电极连接的导电端子；在所述半导体基板的背面，以包围所述贯通电极及所述配线层的方式形成的绝缘部形成用槽部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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