[发明专利]薄膜太阳能电池和其制造方法无效
申请号: | 201180003144.7 | 申请日: | 2011-01-12 |
公开(公告)号: | CN102612756A | 公开(公告)日: | 2012-07-25 |
发明(设计)人: | 藤挂伸二 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种能够通过来自透明电极侧的激光照射而在光电变换层的下层选择性地吸收光,并且通过吹走进行加工的薄膜太阳能电池和其制造方法。本发明是在衬底(1)上依次层叠金属电极(3)、光电变换层(6)、透明电极(7)的薄膜太阳能电池的制造方法,所述薄膜太阳能电池是具有在厚度方向上组合了两个以上以非晶硅为主材料的n、i、p结的光电变换层(6)的衬底型太阳能电池,并且具有作为透明电极(7)侧的光电变换层(6)的顶电池(6b)和较顶电池(6b)更靠金属电极(3)侧的一层以上的电池(6a),所述制造方法至少包括从透明电极(7)侧使用选择性地对顶电池(6b)以外的电池(6a)具有灵敏度的波长的激光同时去除两个以上的光电变换层(6)(6a,6b)和透明电极(7)的工序。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池的制造方法,所述薄膜太阳能电池是具有在厚度方向上组合了两个以上以非单晶硅为主材料的n、i、p结的光电变换层的衬底型太阳能电池,并且在衬底上依次层叠有金属电极、所述光电变换层、透明电极,所述薄膜太阳能电池的制造方法的特征在于:所述薄膜太阳能电池具有作为所述透明电极侧的所述光电变换层的顶电池和较所述顶电池更靠所述金属电极侧的一层以上的电池,所述制造方法包括以下工序:从所述透明电极侧使用选择性地至少对所述顶电池以外的所述电池具有灵敏度的波长的激光同时去除所述两个以上的所述光电变换层和所述透明电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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