[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201180003898.2 | 申请日： | 2011-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102511086A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;大屋满明;山田笃志;矶崎瑛宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法。本发明的氮化物系半导体元件具备：半导体叠层构造(20)，其具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下角度的p型半导体区域；和电极(30)，其设置在p型半导体区域上。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包含Zn层(32)和形成在Zn层(32)上的Ag层(34)，Zn层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系半导体元件，其具备：氮化物系半导体叠层构造，其具有p型GaN系半导体区域；和电极，其形成在所述p型GaN系半导体区域的主面上，所述p型GaN系半导体区域中的所述主面的法线与m面的法线所形成的角度为1°以上5°以下，所述电极包括与所述p型GaN系半导体区域的所述主面接触的Zn层、和形成在所述Zn层上的Ag层。
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