[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法有效
| 申请号： | 201180004186.2 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102575320A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 桑垣宽 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;H01B1/02;C22F1/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 孔青;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供达成高维(高次元)强度和导电率、同时耐疲劳性也优异的Cu-Co-Si系铜合金。电子材料用铜合金，其中含有Co：0.5～3.0％(质量)、Si：0.1～1.0％(质量)，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，在母相中析出的第二相颗粒中，粒径为5nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为1×1012～1×1014个/mm3，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度以相对于粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度之比来表示为3～6。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu co si 铜合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
电子材料用铜合金，其中含有Co：0.5～3.0％(质量)、Si：0.1～1.0％(质量)，剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成，在母相中析出的第二相颗粒中，粒径为5nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度为1×1012～1×1014个/mm3，粒径为5nm以上、不足10nm的第二相颗粒的个数密度以相对于粒径为10nm以上、50nm以下的第二相颗粒的个数密度之比来表示为3～6。
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