[发明专利]非易失性存储装置

摘要

本发明包括：第一电极布线(151)，被形成为带状；第三层间绝缘层(16)；电阻变化层，被形成在覆盖存储单元孔(29)的底部及侧面的区域，且是由缺氧型过渡金属氧化物构成的第一电阻变化层(18a)、和由含氧率与所述第一电阻变化层(18a)不同的缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成的第二电阻变化层(18b)的层叠构造体；第一电极(19)，被形成在存储单元孔(29)的内部；以及第一布线(22)，在至少覆盖存储单元孔(29)的开口的区域，在与第一电极布线(151)交叉的方向上被形成为带状，在将所述过渡金属表示为M、将第一电阻变化层(18a)的组成表示为MOz、将第二电阻变化层(18b)的组成表示为MOxNy的情况下，满足z＞x+y的关系。

主权项

一种非易失性存储装置，包括：第一电极布线，在衬底上被形成为带状；层间绝缘层，被形成在所述第一电极布线以及所述衬底上；存储单元孔，贯通所述层间绝缘层而到达所述第一电极布线；电阻变化层，在所述存储单元孔中，被形成在覆盖所述存储单元孔的底部以及侧面的区域；第一电极，在所述电阻变化层上，被形成在所述存储单元孔的内部；以及第一布线，在所述第一电极以及所述层间绝缘层上，在至少覆盖所述存储单元孔的开口的区域，在与所述第一电极布线交叉的方向上被形成为带状，所述电阻变化层为第一电阻变化层与第二电阻变化层的层叠构造体，所述第一电阻变化层由缺氧型过渡金属氧化物构成，所述第二电阻变化层由缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成，所述缺氧氮型过渡金属氧氮化物的含氧率与所述第一电阻变化层不同，在将所述过渡金属表示为M、将所述第一电阻变化层的组成表示为MOz、将所述第二电阻变化层的组成表示为MOxNy的情况下，满足z＞x+y的关系。