[发明专利]碳化硅衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 201180004372.6 | 申请日： | 2011-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN102597338A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 增田健良;伊藤里美;原田真;佐佐木信 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅衬底，其能够减少使用该碳化硅衬底的半导体器件的制造成本，以及该碳化硅衬底的制造方法。具体地，一种碳化硅衬底的制造方法，包括：制备(S10)每个均由碳化硅(SiC)构成的多个单晶体(1)的步骤；形成(S20)集合体的步骤；将单晶体彼此连接(S30)的步骤；以及对集合体进行切片(S60)的步骤。在步骤(S20)中，通过布置多个SiC单晶锭并且其间插入有包含Si的硅(Si)层，以形成单晶体的集合体。在步骤(S30)中，通过加热集合体将所述至少一部分形成为碳化硅，并且经由Si层中被形成为碳化硅的该部分将相邻的SiC单晶锭彼此连接。在步骤(S60)中，对其中SiC单晶锭彼此连接的集合体进行切片。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：制备每个均由碳化硅制成的多个单晶体(1)(S10)；通过布置所述多个单晶体(1)并且在其间插入连接层(2，7，52)来形成包括所述单晶体(1)的集合体(S20)，所述连接层(2，7，52)包含硅；经由所述连接层(2，7，52)的至少一部分，通过所述连接层(2，7，52)将相邻的单晶体(1)彼此连接(S30)，通过加热所述集合体将所述至少一部分形成为碳化硅；以及对其中所述单晶体(1)彼此连接的所述集合体进行切片(S60)。
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