[发明专利]氮化物类半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201180004465.9 | 申请日： | 2011-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102598320A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 横川俊哉;大屋满明;山田笃志;矶崎瑛宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/40;H01S5/042;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物类半导体元件及其制造方法，其包括具有表面(12)相对于m面倾斜了1°以上5°以下的角度的p型半导体区域的氮化物类的半导体叠层构造(20)；和在p型半导体区域上设置的电极(30)。p型半导体区域由AlxInyGazN(x+y+z＝1，x≥0，y≥0，z≥0)层(26)形成。电极(30)包括Mg层(32)、和在Mg层(32)上形成的Ag层(34)，Mg层(32)与半导体叠层构造(20)中的p型半导体区域的表面(12)接触。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物类半导体元件，其具备：具有p型GaN类半导体区域的氮化物类半导体叠层构造；和在所述p型GaN类半导体区域上设置的电极，所述p型GaN类半导体区域中的主面的法线与m面的法线所形成的角度在1°以上5°以下，所述电极包括与所述p型GaN类半导体区域的所述主面相接触的Mg层、和在所述Mg层上形成的Ag层。
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