[发明专利]半导体接合保护用玻璃合成物、半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201180004599.0 | 申请日： | 2011-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN102781861A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 小笠原淳;伊藤一彦;伊东浩二 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/066 | 分类号： | C03C3/066;C03C3/093;H01L23/29;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 至少含有SiO2、Al2O3、ZnO、CaO、3mol％～10mol％的B2O3、且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K的半导体接合保护用玻璃合成物。SiO2的含有量在32mol％～48mol％的范围内，Al2O3的含有量在9mol％～13mol％的范围内，ZnO的含有量在18mol％～28mol％的范围内，CaO的含有量在15mol％～23mol％的范围内，B2O3的含有量在3mol％～10mol％的范围内。通过本发明的半导体接合保护用玻璃合成物，可以使用不含铅的玻璃材料，制造与以往使用“以硅酸铅为主要成分的玻璃”时同样的高耐压的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 保护 玻璃 合成物 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体接合保护用玻璃合成物，其特征在于：至少含有SiO2、Al2O3、ZnO、CaO、3mol％～10mol％的B2O3，且实质上不含有Pb、P、As、Sb、Li、Na、K。
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