[发明专利]基于RF电压的等离子体处理系统控制有效

专利信息
申请号: 201180004603.3 申请日: 2011-12-06
公开(公告)号: CN102652266A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 约翰·C·小瓦尔科;亨利·S·波沃尔尼 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了一种利用从RF电压信息推导出来的晶片偏压信息控制等离子体处理系统的方法。所述RF电压经由模拟到数字方法处理来获得至少每个基带频率和宽带频率的峰值电压信息。所述峰值电压信息然后使用来推导所述晶片偏压信息,以用作到所述等离子体处理系统的硬件/软件的反馈或控制信息。
搜索关键词: 基于 rf 电压 等离子体 处理 系统 控制
【主权项】:
一种控制等离子体处理系统的方法,包括:接收来自所述腔的至少一个部件的RF信号;在数字域中处理所述RF信号以获得所述RF信号的每个基带频率和宽带频率的峰值电压信号;以及由所述峰值电压信号推导晶片偏压信息,其中所述晶片偏压信息使用作为用于所述控制所述等离子体处理系统的反馈和控制信号中的一个。
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