[发明专利]半导体元件的安装方法无效
申请号: | 201180004736.0 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102822955A | 公开(公告)日: | 2012-12-12 |
发明(设计)人: | 小盐哲平;松森正史;境忠彦;石川隆稔 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;H01L21/60;H01L33/62 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在作为至少包含铜在内的金属间的超声波接合来进行第一电极和第二电极之间的金属接合时,在由接合辅助剂覆盖第一电极和第二电极之间的接触界面的状态下,进行超声波接合,由此,能够抑制伴随超声波接合的实施而在第一电极和第二电极的接合界面形成氧化膜,所以能够在确保所要求的接合强度的同时,实现对第一电极或第二电极使用了铜的超声波接合,能够实现半导体元件的安装中的成本削减。 | ||
搜索关键词: | 半导体 元件 安装 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体元件的安装方法,是将半导体元件的第二电极超声波接合于载置在基板台上的基板的第一电极的半导体元件的安装方法,包括:接合辅助剂供给工序,向至少任意一方由铜形成的第一电极或第二电极上供给接合辅助剂;以及超声波接合工序,通过在将第二电极按压于第一电极的状态下给予超声波振动,来对第一电极和第二电极进行金属接合,在超声波接合工序中,至少在第一电极和第二电极进行金属接合为止的期间,至少在第一电极和第二电极之间的接合界面的周围存在接合辅助剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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