[发明专利]发光二极管有效
| 申请号： | 201180005026.X | 申请日： | 2011-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN102668135A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 金彰渊;李俊熙;柳宗均;林弘澈;金华睦 | 申请（专利权）人： | 首尔OPTO仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例涉及一种发光二极管(LED)，该LED包括：基底；第一氮化物半导体层，布置在基底上；活性层，布置在第一氮化物半导体层上；第二氮化物半导体层，布置在活性层上；第三氮化物半导体层，布置在第一氮化物半导体层和活性层之间或者在第二氮化物半导体层和活性层之间，第三氮化物半导体层包括在第三氮化物半导体层内的多个散射元件；分布式布拉格反射器(DBR)，具有多层结构，所述基底布置在DBR和第三氮化物半导体层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；第一氮化物半导体层，布置在基底上；活性层，布置在第一氮化物半导体层上；第二氮化物半导体层，布置在活性层上；第三氮化物半导体层，设置在第一氮化物半导体层和活性层之间或者在第二氮化物半导体层和活性层之间，第三氮化物半导体层包括在第三氮化物半导体层内的多个散射元件；分布式布拉格反射器，具有多层结构，所述基底布置在分布式布拉格反射器和第三氮化物半导体层之间。
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