[发明专利]分割溅镀靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201180005297.5 | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102686767A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 久保田高史 | 申请（专利权）人： | 三井金属矿业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种分割溅镀靶，其为在接合多个氧化物半导体靶构件而得的分割溅镀靶中，可有效地防止因被溅镀而造成支承板构成材料混入于要形成的氧化物半导体的薄膜中。本发明为通过低熔点焊料将多个包括氧化物半导体的靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其中，于所接合的靶构件间所形成的间隙存在有覆盖挫曲板表面的低熔点焊料。此外，低熔点焊料的间隙内的厚度优选为靶构件间所形成的间隙深度的10％至70％。 | ||
| 搜索关键词： | 分割 溅镀靶 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分割溅镀靶，是通过低熔点焊料将多个包括氧化物半导体的靶构件接合于支承板上而形成的分割溅镀靶，其特征在于，于所接合的靶构件间所形成的间隙，存在有覆盖支承板表面的低熔点焊料。
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