[发明专利]体连结不对称P型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201180005601.6 | 申请日： | 2011-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102714161A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | J·B·常;L·常;C·H·林;J·W·斯莱特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明;边海梅 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本发明的一个示例实施例中，一种不对称P型场效应晶体管包括：源极区域，经由沟道耦合到漏极区域；栅极结构，在沟道的至少部分上方；晕圈注入，至少部分设置于沟道中，其中晕圈注入被设置成比漏极区域更接近源极区域；以及体连结，耦合到沟道。在又一示例实施例中，不对称P型场效应晶体管可操作用于充当对称P型场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 连结 不对称 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种不对称P型场效应晶体管，包括：源极区域，经由沟道耦合到漏极区域；栅极结构，在所述沟道的至少部分上方；晕圈注入，至少部分设置于所述沟道中，其中所述晕圈注入被设置成比所述漏极区域更接近所述源极区域；以及体连结，耦合到所述沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
