[发明专利]包含在3V区域和4V区域中提供优异充放电特性的锂锰氧化物的正极活性材料无效

专利信息
申请号: 201180005666.0 申请日: 2011-01-07
公开(公告)号: CN102696137A 公开(公告)日: 2012-09-26
发明(设计)人: 卢炫国;金信奎;郑根昌;吴松泽;李常旭;金种赞 申请(专利权)人: 株式会社LG化学
主分类号: H01M4/505 分类号: H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525;B60L11/18
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;穆德骏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种包含锂锰氧化物的正极活性材料,其中所述锂锰氧化物具有尖晶石结构并具有由说明书中所述的式1表示的预定构成组成,其中导电材料涂布到锂锰氧化物粒子的表面上,从而在2.5V~3.5V的范围中以及4V范围中显示充放电性能。
搜索关键词: 包含 区域 提供 优异 放电 特性 氧化物 正极 活性 材料
【主权项】:
一种包含锂锰氧化物的正极活性材料,其中所述锂锰氧化物具有尖晶石结构并具有由式1表示的特定构成组成,其中导电材料涂布到锂锰氧化物粒子的表面上,从而在2.5V~3.5V的范围内以及在4V区域中显示充放电性能,Li1+yMzMn2‑y‑zO4‑x‑aQxRa    (1)其中0≤x≤1;0≤y≤0.3;0≤z≤1;M是选自Al、Mg、Ni、Co、Fe、Cr、V、Ti、Cu、B、Ca、Zn、Zr、Nb、Mo、Sr、Sb、W、Ti和Bi中的至少一种以上元素;Q是选自N、F、S和Cl中的至少一种以上元素;R表示由于氧从晶格中逃逸而形成的空位;且0≤a≤2。
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