[发明专利]用于半导体基板的剥落有效

专利信息
申请号: 201180005693.8 申请日: 2011-02-16
公开(公告)号: CN102834901A 公开(公告)日: 2012-12-19
发明(设计)人: S·W·比戴尔;K·E·弗盖尔;P·A·劳洛;D·萨达纳;D·沙杰地 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/304 分类号: H01L21/304;B28D5/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 金晓
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种自半导体基板的锭剥落层的方法,其包含在该半导体基板的锭上形成金属层,其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂;并且在该开裂处自该锭移除该层。一种自半导体基板的锭剥落层的系统,其包含在该半导体基板的锭上形成金属层,其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂,且其中该层被配置为在该开裂处自该锭移除。
搜索关键词: 用于 半导体 剥落
【主权项】:
一种从半导体基板的锭(201)剥落层(601)的方法,所述方法包括:在所述半导体基板的锭(201)上形成金属层(501),其中所述金属层中的拉伸应力被配置为造成在所述锭内的开裂(603);以及在所述开裂处自所述锭(201)移除所述层(601)。
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