[发明专利]半导体传感器部件有效
| 申请号： | 201180005860.9 | 申请日： | 2011-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN102742012A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 恩德·腾海夫 | 申请（专利权）人： | 艾尔默斯半导体股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 周涛;许伟群 |
| 地址： | 德国多*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1，5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 部件 | ||
【主权项】：
一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：‑半导体衬底(1，5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成，‑其中在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区，‑其中在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79，80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建，以及‑其中沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79，80)延伸至边缘留空部中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾尔默斯半导体股份公司，未经艾尔默斯半导体股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180005860.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
