[发明专利]半导体激光器件和半导体激光器件制造方法无效
| 申请号： | 201180005910.3 | 申请日： | 2011-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102714393A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 丹下贵志;冨谷茂隆 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器件和半导体激光器件制造方法。所述半导体激光器件能够可靠地抑制由于界面氧化和畸变出现而导致的端面劣化。所述半导体激光器件设置有具有相互面对的谐振器端面（108、109）的激光结构部（107），还设置有形成于所述相互面对的谐振器端面中的至少一者上的保护膜（110、120）。所述保护膜（110、120）是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器端面相接触的那一侧起包含非晶层（111、121）和多晶层（112、122）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器件，其包括：激光结构部，所述激光结构部具有相互面对的谐振器端面；以及保护膜，所述保护膜形成于所述相互面对的谐振器端面中的至少一者上，其中，所述保护膜是由具有多段结构的氮化物电介质膜形成的，所述多段结构的晶体结构从与所述谐振器端面相接触的那一侧起包含非晶层和多晶层。
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