[发明专利]碳化硅单晶体的制造装置无效
| 申请号： | 201180006102.9 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102713028A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 关亘;近藤大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅单晶体的制造装置。本发明的单晶体制造装置（1）包括坩埚（2），该坩埚（2）用于容纳含有碳化硅的晶种（11）和配设在与该晶种（11）相对一侧并用于上述晶种（11）的生长的升华用原料（10）。上述坩埚（2）包括：坩埚主体（7），其用于容纳上述升华用原料（10）；以及盖体（8），其供上述晶种（11）配设；上述盖体（8）的与上述晶种（11）的径向中央侧相对应的中央区域处的厚度（T1）设定为大于上述盖体（8）的与比上述晶种（11）的径向中央侧靠径向外侧处相对应的周边区域处的厚度（T2）。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 单晶体 制造 装置 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶体的制造装置，其包括坩埚，该坩埚用于容纳含有碳化硅的晶种和配设在与该晶种相对一侧并用于上述晶种的生长的升华用原料，上述坩埚包括：坩埚主体，其用于容纳上述升华用原料；以及盖体，其供上述晶种配设；上述盖体的与上述晶种的径向中央侧相对应的中央区域处的厚度大于上述盖体的与比上述晶种的径向中央侧靠径向外侧处相对应的周边区域处的厚度。
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