[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 201180007101.6 申请日: 2011-01-20
公开(公告)号: CN102725836A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 伊藤慎吾 申请(专利权)人: 住友电木株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 苗堃;赵曦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的半导体装置,其特征在于,具备:具有电极焊盘的半导体元件,搭载半导体元件、形成有电接合部件的基材,对电极焊盘和电接合部件进行电连接的焊线,半导体元件和焊线电极焊盘的主成分金属为与焊线的主成分金属相同的金属,或者与焊线的主成分金属不同,电极焊盘的主成分金属和焊线的主成分金属不同时,在封装树脂的后固化温度下,上述焊线的主成分金属与电极焊盘的主成分金属在上述焊线和上述电极焊盘的接合部相互扩散的速度小于在后固化温度下金(Au)与铝(Al)在铝(Al)和金(Au)的接合部相互扩散的速度。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:具有电极焊盘的半导体元件,搭载所述半导体元件、形成有电接合部件的基材,对所述电极焊盘和所述电接合部件进行电连接的焊线,封装所述半导体元件和所述焊线、并由热固化性树脂组合物的固化物构成的封装树脂;所述电极焊盘的主成分金属为与所述焊线的主成分金属相同的金属,或者与所述焊线的主成分金属不同,所述电极焊盘的主成分金属与所述焊线的主成分金属不同时,在所述封装树脂的后固化温度下,所述焊线的主成分金属与所述电极焊盘的主成分金属在所述焊线和所述电极焊盘的接合部相互扩散的速度小于在所述后固化温度下金(Au)与铝(Al)在铝(Al)和金(Au)的接合部相互扩散的速度。
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