[发明专利]等离子体氮化处理方法无效
申请号: | 201180007125.1 | 申请日: | 2011-03-30 |
公开(公告)号: | CN102725835A | 公开(公告)日: | 2012-10-10 |
发明(设计)人: | 出张俊宪;佐野正树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/318 | 分类号: | H01L21/318 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种等离子体氮化处理方法,在等离子体处理装置的处理容器中被处理体进行高氮剂量的等离子体氮化处理后,进行低氮剂量的等离子体氮化处理。在高氮剂量条件的等离子体氮化处理结束后,向同一上述处理容器内导入稀有气体、氮气和氧气,在处理容器内的压力为(532Pa)以上(833Pa)以下、全部处理气体中氧气的体积流量比为(1.5%)以上(5%)以下的条件下,利用添加有微量氧的氮等离子体对处理容器内进行等离子体陈化处理。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 氮化 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体氮化处理方法,其特征在于:将含有氮气的处理气体导入等离子体处理装置的处理容器,生成高氮剂量条件的含氮等离子体,对具有氧化膜的被处理体进行高氮剂量的等离子体氮化处理后,生成低氮剂量条件的含氮等离子体,对被处理体进行低氮剂量的等离子体氮化处理,在所述高氮剂量条件的等离子体氮化处理结束后,向同一所述处理容器内导入稀有气体、氮气和氧气,在所述处理容器内的压力为532Pa以上833Pa以下,且全部处理气体中的氧气的体积流量比为1.5%以上5%以下的条件下,生成添加有微量氧的氮等离子体,利用该添加有微量氧的氮等离子体在所述处理容器内进行等离子体陈化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造