[发明专利]光致抗蚀剂移除处理装置及方法无效
| 申请号： | 201180007223.5 | 申请日： | 2011-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN102725440A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 艾里克·J·伯格曼;杰瑞·达斯廷·伦哈德;布赖恩·普奇;杰森·赖伊 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23G1/02 | 分类号： | C23G1/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭露一种制程腔室（20），其系在酸性环境（如硫酸）且选择性配合氧化剂（如过氧化氢），利用直接照射红外线以移除固化之光致抗蚀剂，制程腔室包括一晶片承载单元（26），其系承载并较佳可旋转晶片；一红外线产生组件（126）包括复数红外线灯，其系设置于制程腔室外，并用以发出红外光进入制程腔室，红外线灯所发出之红外光可以实质上照射位于承载单元上之晶片的完整表面；一冷却组件（150），其系用以协助快速冷却红外线产生组件，以避免制程反应过度。因此，本发明可以仅使用少量的化学溶液便能够移除光致抗蚀剂。 | ||
| 搜索关键词： | 光致抗蚀剂移 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于从晶片移除光致抗蚀剂的方法，其特征在于：将该晶片放置在密闭腔室中；经由位于该腔室的外部的多个红外线灯照射并加热该晶片的表面，其中通过该腔室的窗口而将红外线能量直接辐射到该晶片的表面；使该晶片与硫酸及过氧化氢接触，其中硫酸及过氧化氢与红外线辐射发生反应，以从该晶片的表面移除光致抗蚀剂；以及冷却所述红外线灯周围的多个表面。
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