[发明专利]垫片状态化刮扫力矩模式化以达成恒定移除率无效
| 申请号： | 201180007343.5 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102782814A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | S·瀚达帕尼;G·E·蒙柯;S·J·肖;J·G·冯;C·D·可卡;S·D·蔡;张寿松;C·C·加勒特森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉;张欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于调整CMP系统中的抛光垫片的方法与设备。在一具体实施例中，一种用于调整抛光垫片的方法包含：对调整盘施加向下力，该向下力推进该调整盘抵住该抛光垫片；测量使该调整盘刮扫该抛光垫片所需的力矩；比较所测量的力矩与模式化力轮廓(MFP)，藉以确定向下力的变化量；以及响应于所确定的变化量，调整该调整盘施抵该抛光垫片的向下力。 | ||
| 搜索关键词： | 垫片 状态 化刮扫 力矩 模式 达成 恒定 | ||
【主权项】：
一种用于调整抛光垫片的方法，包括：对调整盘施加向下力，所述向下力推进所述调整盘抵住所述抛光垫片；测量使所述调整盘刮扫所述抛光垫片所需的力矩；通过比较所测量的力矩与模式化力轮廓(MFP)，藉以确定向下力的变化量；以及响应于所确定的变化量，调整所述调整盘施抵所述抛光垫片的所述向下力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
