[发明专利]CMP浆流的闭环控制无效
| 申请号： | 201180007344.X | 申请日： | 2011-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102782815A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | G·E·蒙柯;S·D·蔡;S·J·肖;S·瀚达帕尼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉;管琦琦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例总体涉及用于化学机械抛光基板的方法。这些方法一般包含以下步骤：测量抛光垫的厚度，该抛光垫在抛光表面上具有沟槽或其他的浆液传送特征部。一旦确定该抛光表面上的这些沟槽的深度，即可响应于所确定的沟槽深度而调整抛光浆液的流量。在该抛光表面上抛光预定数量的基板。可视情况而重复该方法。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 闭环控制 | ||
【主权项】：
一种方法，该方法包含以下步骤：(a)测量抛光垫的厚度，所述抛光垫具有沟槽，这些沟槽配置在所述抛光垫的抛光表面中；(b)确定配置在所述抛光表面中的这些沟槽的深度；(c)响应于配置在所述抛光表面中的这些沟槽的所述确定深度，调整引入所述抛光表面的抛光浆液的流量；(d)抛光预定数量的基板；以及(e)重复步骤(a)至(d)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
