[发明专利]用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用有效
申请号: | 201180007613.2 | 申请日: | 2011-01-27 |
公开(公告)号: | CN102782818A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 荣格·韩;孙乾;张宇 | 申请(专利权)人: | 耶鲁大学 |
主分类号: | H01L21/326 | 分类号: | H01L21/326 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案,所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。 | ||
搜索关键词: | 用于 gan 装置 基于 导电性 选择性 蚀刻 应用 | ||
【主权项】:
一种用于生成多孔GaN的方法,其包含:(a)将GaN暴露于电解质;(b)将所述GaN耦合到电源的一个端子并将浸于所述电解质中的电极耦合到所述电源的另一个端子以由此形成电路;以及(c)激励所述电路以增加所述GaN的至少一部分的孔隙率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于耶鲁大学,未经耶鲁大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180007613.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高速包装机烟支隔板
- 下一篇:运行风力发电站的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造