[发明专利]用以促进接合的重调节半导体表面的方法有效
| 申请号： | 201180007647.1 | 申请日： | 2011-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102812538A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | P.阿鲁纳萨拉姆 | 申请（专利权）人： | 盾安美斯泰克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 促进诸如硅晶片的半导体组件的接合的非磨蚀方法，这些半导体组件在接合界面表面上具有微结构缺陷。在优选的方法中，微结构缺陷通过以下方式去除：在该接合界面表面上形成氧化物层至低于该缺陷的水平的深度，且然后，去除该氧化物层以暴露出用于接合的满意表面，由此增加生产线的产率且降低制造设施中的废品起因。 | ||
| 搜索关键词： | 用以 促进 接合 调节 半导体 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种对具有微结构缺陷的半导体装置的表面进行重调节的方法，包括:a)识别表面中的微结构缺陷；以及b)使用非磨蚀方法以从该表面去除材料至低于该微结构缺陷的最大深度的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
