[发明专利]用于估算多层晶片的非均匀变形的系统和方法有效
| 申请号： | 201180007676.8 | 申请日： | 2011-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN102741650A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | M·布罗卡特;A·卡斯特克斯;L·马里尼耶 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | G01B17/06 | 分类号： | G01B17/06;G01B21/32;G03F7/20;G01N29/06 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;周蕾 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及用于估算第一晶片（110）中的非均匀变形的方法，第一晶片通过分子附着力键合至第二晶片（120）。本发明方法包括对多个测量点进行记录的步骤，每一个测量点在局部上表示第一晶片的表面的水平；对第一晶片中经过多个测量点的表面轮廓进行限定的步骤；对第一晶片的表面轮廓进行处理以由此确定特征值的步骤；以及根据特征值对第一晶片中非均匀变形水平进行估算的步骤。本发明还包括能够估算该非均匀变形的装置（147）。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 估算 多层 晶片 均匀 变形 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种估算第一晶片（110）中的非均匀变形的方法，所述第一晶片通过分子附着力键合至第二晶片（120），所述估算方法包括：测定多个测量点的步骤（E1），每一个所述测量点在局部上表示所述第一晶片的暴露表面的水平；对所述第一晶片中经过多个测量点的至少一个表面轮廓进行确定的步骤（E2）；对所述第一晶片的表面轮廓进行处理以便由此确定被处理表面轮廓的特征值的步骤（E3）；以及根据所述特征值对所述第一晶片中的非均匀变形的水平进行估算的步骤（E4）。
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