[发明专利]在高深宽比纳米结构中减少图案塌陷的方法有效
| 申请号： | 201180007817.6 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102741984A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 阿米尔·A·亚西尔;朱继;尹石民;戴维·S·L·梅;卡特里娜·米哈利钦科 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种用于处理高深宽比纳米结构表面以有助于在与半导体器件的制造有关的一些精密的处理过程中保护精细的纳米结构的方法。对包含高深宽比纳米结构的晶片进行处置以使得纳米结构的表面变得更加疏水。该处置可包括，应用以化学方式改变纳米结构的表面的底料从而防止纳米结构的表面在随后的湿式清洁过程中损坏。该晶片可被进一步处理，例如在湿式清洁过程后进行干燥过程。纳米结构增长的疏水性有助于减少或防止纳米结构的塌陷。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 纳米 结构 减少 图案 塌陷 方法 | ||
【主权项】：
一种处理在制造半导体器件过程中所使用的晶片的方法，所述方法包括：在该晶片上的硅基层中形成高深宽比特征；使得该特征的侧壁更加疏水；执行该晶片的湿式处理；以及随后干燥该晶片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司，未经朗姆研究公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180007817.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：超高导热金属基线路板及其制备方法、应用
- 下一篇：半导体存储设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
