[发明专利]绝缘金属基板和半导体器件有效
申请号: | 201180007982.1 | 申请日: | 2011-01-26 |
公开(公告)号: | CN102782866A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 祐谷重德 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 牛海军 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 绝缘金属基板用于半导体器件诸如太阳能电池。所述基板包括由钢、铁基合金钢或钛制成的金属基体,铝层和通过将铝阳极氧化而获得的绝缘层。主要由组成用Al3X(其中X是选自Fe、Cr和Ti的至少一种元素)表示的合金制成的合金层存在于金属基体和铝层之间的界面中,并且具有0.01至10微米的厚度。铝层的厚度为1微米以上并且等于或小于金属基体的厚度。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 金属 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种绝缘金属基板,所述绝缘金属基板包括:金属基体,所述金属基体由钢、铁基合金钢或钛制成;铝层,所述铝层安置在所述金属基体的至少一个表面上;绝缘层,所述绝缘层通过将所述铝层的前表面阳极氧化而形成;和合金层,所述合金层主要由组成用Al3X(其中X是选自Fe、Cr和Ti的至少一种元素)表示的合金制成,并且存在于所述金属基体和所述铝层之间的界面中,其中所述合金层具有0.01至10微米的厚度,并且其中所述铝层的厚度为1微米以上并且等于或小于所述金属基体的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士胶片株式会社,未经富士胶片株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180007982.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高弹性手机夹紧吊挂装置
- 下一篇:微基站天线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的