[发明专利]绝缘金属基板和半导体器件有效

专利信息
申请号: 201180007982.1 申请日: 2011-01-26
公开(公告)号: CN102782866A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 祐谷重德 申请(专利权)人: 富士胶片株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 牛海军
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 绝缘金属基板用于半导体器件诸如太阳能电池。所述基板包括由钢、铁基合金钢或钛制成的金属基体,铝层和通过将铝阳极氧化而获得的绝缘层。主要由组成用Al3X(其中X是选自Fe、Cr和Ti的至少一种元素)表示的合金制成的合金层存在于金属基体和铝层之间的界面中,并且具有0.01至10微米的厚度。铝层的厚度为1微米以上并且等于或小于金属基体的厚度。
搜索关键词: 绝缘 金属 半导体器件
【主权项】:
一种绝缘金属基板,所述绝缘金属基板包括:金属基体,所述金属基体由钢、铁基合金钢或钛制成;铝层,所述铝层安置在所述金属基体的至少一个表面上;绝缘层,所述绝缘层通过将所述铝层的前表面阳极氧化而形成;和合金层,所述合金层主要由组成用Al3X(其中X是选自Fe、Cr和Ti的至少一种元素)表示的合金制成,并且存在于所述金属基体和所述铝层之间的界面中,其中所述合金层具有0.01至10微米的厚度,并且其中所述铝层的厚度为1微米以上并且等于或小于所述金属基体的厚度。
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