[发明专利]硅晶片和半导体装置无效
| 申请号： | 201180008182.1 | 申请日： | 2011-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN102741977A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;寺本章伸;诹访智之 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B29/06;C30B33/02;H01L21/324;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，在所述晶片中不存在滑移线。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种硅晶片，其特征在于，其为表面由单原子层的台阶形成有呈阶梯状的多个平台的硅晶片，且在所述晶片中不存在滑移线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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