[发明专利]用于制造氮化镓晶片的方法有效
| 申请号： | 201180008490.4 | 申请日： | 2011-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102754188A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 金容进;李东健;金杜洙;李浩准;李启珍 | 申请（专利权）人： | LG矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;孟桂超 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造氮化镓(GaN)晶片的方法。在根据实施方式的用于制造GaN晶片的方法中，在衬底上形成蚀刻阻挡层，且在所述蚀刻阻挡层上形成第一GaN层。使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分，且在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层。在所述第二GaN层上形成第三GaN层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 氮化 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造氮化镓(GaN)晶片的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻阻挡层；在所述蚀刻阻挡层上形成第一GaN层；使用硅烷气体蚀刻所述第一GaN层的一部分；在所述蚀刻的第一GaN层上形成第二GaN层；以及在所述第二GaN层上形成第三GaN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
