[发明专利]基板清洗方法和基板清洗装置有效
| 申请号： | 201180008727.9 | 申请日： | 2011-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102754192B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 松井英章;守屋刚;成岛正树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;岩谷产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基板清洗方法，其能够清除基板上附着的异物，且防止基板和该基板上形成的膜的劣化。向附着有异物（22）且配置在几乎真空气氛中的晶片（W）以0.3MPa~2.0MPa中的任一压力喷雾清洗气体形成包含多个气体分子（20）的团簇（21），使该团簇（21）不离子化就向晶片（W）碰撞。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种基板清洗方法，其特征在于：向附着有异物且配置于低压气氛中的基板喷雾与所述低压气氛相比为高压的气体，形成包含多个气体分子的团簇，通过使该团簇不离子化就向所述基板碰撞，不使气体分子被掺杂到形成在所述基板上的膜或所述基板本身，促进所述异物和所述气体分子的一部分的化学反应，并且通过将所述团簇的动能传递给所述异物，来促进所述异物和所述气体分子的一部分的化学反应，在所述团簇向所述基板碰撞时，加热所述基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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