[发明专利]氮化物系半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物系半导体元件及其制造方法，该氮化物系半导体元件具备生长面为m面的p型AldGaeN层(25)、在p型AldGaeN层(25)上设置的电极(30)，AldGaeN层(25)具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN(x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0)半导体形成的p-AldGaeN接触层(26)，p-AldGaeN接触层(26)具有含有4×1019cm-3以上2×1020cm-3以下的Mg的主体区域(26A)、和与电极(30)相接并具有1×1021cm-3以上的Mg浓度的高浓度区域(26B)。

主权项

一种氮化物系半导体元件，具备：氮化物系半导体叠层构造，其具有生长面为m面的p型半导体区域；和电极，其设置在所述p型半导体区域上，所述p型半导体区域具有由厚度26nm以上60nm以下的AlxGayInzN半导体形成的接触层，其中x+y+z＝1，x≥0，y＞0，z≥0，所述接触层具有：含有4×1019cm‑3以上2×1020cm‑3以下的Mg的主体区域、和与所述电极相接并具有1×1021cm‑3以上的Mg浓度的高浓度区域。