[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 201180009096.2 申请日: 2011-01-14
公开(公告)号: CN102754035A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: A·V·帕迪瑞;B·门奇奇科夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 王静
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种控制光刻设备的扫描功能的方法。使用第一对准策略。监控晶片被曝光以确定与扫描功能相关的基准线控制参数。基准线控制参数周期性地从监控晶片重新获得。从基准线控制参数确定参数漂移。基于所述确定结果采取校正动作。使用不同于第一对准策略的第二对准策略曝光产品晶片。修正校正动作,从而在第二对准策略已经被用于曝光监控晶片的情况下、则使得实质上更接近本来应当做出的校正。
搜索关键词: 光刻 设备 器件 制造 方法
【主权项】:
一种光刻设备,包括:照射系统,被配置用于调节辐射束;支撑结构,被配置用于支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束,以形成图案化的辐射束;衬底台,被配置用于保持衬底;投影系统,被配置用于将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;对准设备,被配置用于在将图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上之前,根据对准策略对准衬底;以及扫描控制模块,被配置用于通过从一个或更多个监控晶片周期性地重新获得限定基准线控制参数的测量值、以便由基准线控制来确定参数漂移、从而控制支撑结构、衬底台和投影系统中的至少一个,所述一个或更多个监控晶片初始已经被使用第一对准策略曝光;其中,所述设备被配置用于:当使用不同于第一对准策略的第二对准策略曝光产品衬底时,调整针对参数漂移做出的校正,使得在第二对准策略已经被用于曝光所述一个或更多个监控晶片情况下实质上更接近原本应该做出的校正。
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