[发明专利]含Li的α-赛隆系荧光体粒子和其制造方法、照明器具以及图像显示装置有效
申请号: | 201180009516.7 | 申请日: | 2011-03-01 |
公开(公告)号: | CN102753650A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 坂田信一;小田浩;藤野宽之 | 申请(专利权)人: | 宇部兴产株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;H01J29/20;H01L33/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 贾成功 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明制造含锂的α-赛隆荧光体粒子,其将氮化硅或含氮硅化合物粉末、含AlN的铝源、Li源和Eu源混合,在常压的含氮的惰性气体气氛中,在1500~1800℃下进行焙烧,得到成为起始材料的含锂的α-赛隆粉末,在其粉末中添加混合追加的锂源,在常压的含氮的惰性气体气氛中,在低于上述焙烧温度的温度下,或在1100℃以上、不足1600℃下,进行再焙烧,制造含锂的α-赛隆荧光体粒子。本发明提供使发短波长的荧光的含Li(锂)的α-赛隆荧光体的光吸收率、荧光强度提高、利用其的照明器具及图像显示装置。 | ||
搜索关键词: | li 赛隆系 荧光 粒子 制造 方法 照明 器具 以及 图像 显示装置 | ||
【主权项】:
一种含锂的α‑赛隆荧光体粒子,其为由通式(1)表示的含锂的α‑赛隆荧光体粒子,LixEuySi12‑(m+n)Al(m+n)On+δN16‑n‑δ (1)式中,0.4≤x≤1.5、0.001≤y≤0.2、1.0≤m≤2.8、0.1≤n+δ≤3.2、使Eu的平均价数为a时,x+ya+δ=m;其中,在450nm附近的波长区域中光的吸收率为65%以上,所述含锂的α‑赛隆荧光体粒子在其表面具有由1μm以下的尺寸的微粒状的赛隆形成的具有凹凸表面微细构造的赛隆表面层。
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