[发明专利]交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统有效
| 申请号： | 201180009631.4 | 申请日： | 2011-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN102763165A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 罗伊·E·米迪 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00;G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处。所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电介质材料。 | ||
| 搜索关键词： | 交叉点 存储器 单元 非易失性存储器 阵列 读取 方法 编程 写入 计算机系统 | ||
【主权项】：
一种交叉点存储器单元，其包括：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不同于所述第一方向的第二方向延伸，所述位线与所述字线在彼此无物理接触的情况下交叉；及电容器，其能够被重复地编程为至少两种不同电容状态，形成于所述字线与所述位线之间此交叉所在处，所述电容器包括经配置以防止DC电流从所述字线流动到所述位线及从所述位线流动到所述字线的电容器电介质材料。
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