[发明专利]高保持电压器件有效
| 申请号： | 201180009779.8 | 申请日： | 2011-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102884624A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 斯文·范韦梅尔斯;奥利维耶·马里沙尔 | 申请（专利权）人： | 索菲科斯公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高保持电压(HV)静电放电(ESD)保护电路，包括可控硅整流器(SCE)器件和位于SCR器件的阳极和阴极之间长度(LCA)内的补偿区域，所述补偿区域增加了SCR器件的保持电压。所述补偿区域可以向SCR器件引入负反馈机制，这可以影响SCR的回路增益，并且使其在较高的保持电压下达到再生反馈。 | ||
| 搜索关键词： | 保持 电压 器件 | ||
【主权项】：
一种静电放电(ESD)保护电路，包括：第一导电类型的第一低掺杂阱；第二导电类型的第二低掺杂阱；在第一低掺杂阱中形成的第一导电类型的第一高掺杂区；在第一低掺杂阱中形成的第二导电类型的第二高掺杂区；在第二低掺杂阱中形成的第一导电类型的第三高掺杂区；在第二低掺杂阱中形成的第二导电类型的第四高掺杂区；在第二高掺杂区和第二低掺杂阱之间的第一低掺杂阱中形成的第一导电类型的第五高掺杂区；在第二高掺杂区和第二低掺杂阱之间的第一低掺杂阱中形成的第二导电类型的第六高掺杂区；以及触发电路，用于在ESD事件期间接通所述ESD保护电路，其中所述触发电路与第一高掺杂区、第二高掺杂区、第三高掺杂区、第四高掺杂区、第五高掺杂区或者第六高掺杂区的至少一个耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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