[发明专利]制造碳化硅单晶的方法无效
| 申请号： | 201180009847.0 | 申请日： | 2011-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102762780A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 石井伴和 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B9/00 | 分类号： | C30B9/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种制造SiC单晶的方法，其中通过将第一籽晶浸在坩埚中的原料熔体中，在保持在籽晶保持器下端处的所述第一籽晶上生长SiC单晶；制造SiC单晶的该方法的特征在于在所述第一籽晶之外的区域中实施促进多晶生长的处理。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造SiC单晶的方法，其特征在于包括：通过将第一籽晶浸在坩埚中的原料熔体中而在保持在籽晶保持器下端处的所述第一籽晶上生长SiC单晶；和在所述第一籽晶之外的区域中实施促进多晶生长的处理。
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