[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了具有包括沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。制造碳化硅半导体器件的方法包括：制备包含碳化硅的半导体膜的外延层形成步骤；在半导体膜的表面上形成氧化物膜的栅极绝缘膜形成步骤；在包含氮的气氛中，对其上形成有氧化物膜的半导体膜热处理的氮退火步骤；以及在氮退火步骤之后，在包含惰性气体的气氛中，对其上形成有氧化物膜的半导体膜执行后热处理步骤。后热处理步骤中采用的热处理温度（T2）高于氮退火步骤中采用的热处理温度（T1）且低于氧化物膜的熔点。

主权项

一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：制备由碳化硅制成的半导体膜（3、4、23）（S20）；在所述半导体膜（3、4、23）的表面上形成氧化物膜（7、8）（S30、S35）；在包含氮的气氛中，对其上形成有所述氧化物膜（7、8）的所述半导体膜（3、4、23）执行热处理（S40）；以及在所述执行热处理的步骤之后，在包含惰性气体的气氛中，对其上形成有所述氧化物膜的所述半导体膜执行后热处理（S50），在所述执行后热处理的步骤（S50）中的热处理温度（T2）高于在所述执行热处理的步骤（S40）中的热处理温度（T1）且低于所述氧化物膜（7、8）的熔点。