[发明专利]多晶硅层的制造方法及用于其的金属混合层形成装置无效
| 申请号： | 201180010230.0 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102770946A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 李炳一;张熙燮;朴暻完 | 申请（专利权）人： | 泰拉半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多晶硅层的制造方法。本发明的一实施例涉及的多晶硅层（22）的制造方法，其特征为，使非晶硅层（20）和金属混合层（30）接触之后，对非晶硅层（20）进行晶化热处理，从而制造多晶硅层（22）。根据本发明，能够提供导入少量金属催化剂也能够降低结晶温度的多晶硅层的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 用于 金属 混合 形成 装置 | ||
【主权项】：
一种多晶硅层的制造方法，其特征在于，使非晶硅层和金属混合层接触之后，对所述非晶硅层进行金属诱导晶化热处理，从而制造多晶硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰拉半导体株式会社，未经泰拉半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180010230.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
