[发明专利]场效应晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201180010336.0 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102763222A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 平野浩一;小松慎五;齐藤恭辉;池直树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社;第一工业制药株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L21/283;H01L21/288;H01L21/336;H05B33/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明利用简易的工艺来实现薄膜晶体管中的金属氧化物膜的形成。在具有栅电极、源电极、漏电极、沟道层及栅绝缘层的场效应晶体管的制造方法中，使用如下的含有金属盐的组合物来进行所述沟道层的形成，即，包含：金属盐、具有-C(COOH)＝C(COOH)-顺式结构的多元羧酸、有机溶剂、以及水，多元羧酸相对于金属盐的摩尔比为0.5以上4.0以下。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制造方法，是具有栅电极、源电极、漏电极、沟道层及栅绝缘层的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，使用含有金属盐的组合物形成所述沟道层，所述含有金属盐的组合物包含金属盐、具有‑C(COOH)＝C(COOH)‑顺式结构的多元羧酸、有机溶剂、以及水，且所述多元羧酸相对于所述金属盐的摩尔比为0.5以上并且4.0以下。
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