[发明专利]消除多层结构的表面上存在的材料碎片的方法无效

专利信息
申请号: 201180010480.4 申请日: 2011-02-07
公开(公告)号: CN102763191A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: B·奥斯特诺德 申请(专利权)人: 索泰克公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/762
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 吕俊刚;刘久亮
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及消除接合至第二晶片(110)的第一晶片(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)的方法,该方法包括以下步骤:将所述第一晶片(116)放置在液体溶液中;以及在该溶液中传播超声波。本发明还涉及用于制造多层结构(111)的工艺,该工艺包括以下连续步骤:将第一晶片接合至第二晶片以形成多层结构;将该结构退火;以及将第一晶片薄化,所述薄化包括化学蚀刻第一晶片的至少一个步骤。该工艺还包括以下步骤:在化学蚀刻步骤之后,消除被薄化的第一晶片(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)。
搜索关键词: 消除 多层 结构 表面上 存在 材料 碎片 方法
【主权项】:
一种用于去除在第一层(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)的工艺,所述第一层(116)被接合至第二晶片(110),要去除的所述碎片大于2μm,该工艺包括:‑将至少所述第一层浸没在液体溶液(126、130)中的步骤;以及‑在所述溶液中传播超声波的步骤,所述超声波的频率和功率被设置成在所述液体溶液中产生空化效应,以从所述露出表面去除所述碎片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索泰克公司,未经索泰克公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180010480.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top