[发明专利]消除多层结构的表面上存在的材料碎片的方法无效
申请号: | 201180010480.4 | 申请日: | 2011-02-07 |
公开(公告)号: | CN102763191A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
发明(设计)人: | B·奥斯特诺德 | 申请(专利权)人: | 索泰克公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/762 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及消除接合至第二晶片(110)的第一晶片(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)的方法,该方法包括以下步骤:将所述第一晶片(116)放置在液体溶液中;以及在该溶液中传播超声波。本发明还涉及用于制造多层结构(111)的工艺,该工艺包括以下连续步骤:将第一晶片接合至第二晶片以形成多层结构;将该结构退火;以及将第一晶片薄化,所述薄化包括化学蚀刻第一晶片的至少一个步骤。该工艺还包括以下步骤:在化学蚀刻步骤之后,消除被薄化的第一晶片(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)。 | ||
搜索关键词: | 消除 多层 结构 表面上 存在 材料 碎片 方法 | ||
【主权项】:
一种用于去除在第一层(116)的露出表面上存在的材料碎片(118)的工艺,所述第一层(116)被接合至第二晶片(110),要去除的所述碎片大于2μm,该工艺包括:‑将至少所述第一层浸没在液体溶液(126、130)中的步骤;以及‑在所述溶液中传播超声波的步骤,所述超声波的频率和功率被设置成在所述液体溶液中产生空化效应,以从所述露出表面去除所述碎片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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