[发明专利]Al基合金溅射靶无效
| 申请号： | 201180010694.1 | 申请日： | 2011-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN102770576A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 岩崎祐纪;松本克史;高木敏晃;长尾护;莳野秀忠 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所;株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C21/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 雒运朴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种技术，其在使用Al基合金溅射靶时，即使进行高速成膜也能够抑制飞溅的发生。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其含有Ni和稀土元素，在利用背散射电子衍射像法对上述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t(t：Al基合金溅射靶的厚度)部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位<001>、<011>、<111>、<012>及<112>进行观察时，满足以下要件：(1)在将上述<001>±15°、上述<011>±15°及上述<112>±15°的总面积率设为R(各处的R中，上述表层部为Ra，上述1/4×t部为Rb，上述1/2×t部为Rc)时，R为0.35以上且0.80以下，并且，(2)上述Ra、上述Rb及上述Rc在R平均值[Rave＝(Ra+Rb+Rc)/3]的±20％的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | al 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种Al基合金溅射靶，其特征在于，含有Ni和稀土元素，设t为Al基合金溅射靶的厚度，在利用背散射电子衍射像法对所述Al基合金溅射靶的表层部、1/4×t部、1/2×t部的各溅射面的法线方向的结晶方位<001>、<011>、<111>、<012>及<112>进行观察时，满足下述(1)、(2)的要件：(1)在将所述<001>±15°、所述<011>±15°及所述<112>±15°的总面积率设为R时，R为0.35以上且0.80以下，其中，各处的R中，所述表层部为Ra，所述1/4×t部为Rb，所述1/2×t部为Rc，并且(2)所述Ra、所述Rb及所述Rc是在R平均值[Rave＝(Ra+Rb+Rc)/3]的±20％的范围内。
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