[发明专利]用于生产半导体材料箔的装置和方法有效
| 申请号： | 201180011045.3 | 申请日： | 2011-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN102834553A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | 阿克塞尔·乔治·舍内克尔;皮埃尔-伊夫·毕勋;伊尔柯·盖尔伯特·霍克;埃里克·德伊格尔 | 申请（专利权）人： | RGS发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/10 | 分类号： | C30B28/10;C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张华卿;郑霞 |
| 地址： | 荷兰北*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于生产半导体材料箔的铸造设备，包括铸造框架和基片带。铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，侧壁的出口侧壁位于半导体材料箔的输出位置处。出口侧壁设有出口缝。铸造设备还包括局部力施加装置，以在出口缝的位置处将局部增大的外力施加在熔化的半导体材料上，以使作用在出口缝处的熔化材料上的外部压力增大。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 半导体材料 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产半导体材料箔的铸造设备，包括铸造框架和基片带，所述铸造框架被设置用于保持熔化的半导体材料且包括侧壁，所述侧壁的出口侧壁位于所述半导体材料箔的输出位置处，所述出口侧壁设有出口缝，其中所述铸造设备还包括局部力施加装置，以在所述出口缝的位置处将局部相对增大的外力施加在所述熔化的半导体材料上，以使作用在所述出口缝处的所述熔化的半导体材料上的外部压力局部增大。
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