[发明专利]用于层沉积的方法及装置有效
申请号: | 201180011350.2 | 申请日: | 2011-02-23 |
公开(公告)号: | CN102834545A | 公开(公告)日: | 2012-12-19 |
发明(设计)人: | 阿德里亚努斯·约翰尼斯·皮德勒斯·玛利亚·弗米尔;雨果·安东·玛丽·德翰 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO;视觉动力控股有限公司 |
主分类号: | C23C16/02 | 分类号: | C23C16/02;C23C16/04;C23C16/54;C23C16/455;H01J37/32 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 武晨燕;张颖玲 |
地址: | 荷兰代*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种在基板表面沉积层的方法,该方法包括:将来自前体供应部的前体气体喷入沉积腔以接触基板表面,将部分喷入的前体气体从沉积腔中排出,并沿着基板表面的平面使沉积腔和基板彼此相对定位;该方法进一步包括:提供第一电极和第二电极,使第一电极与基板彼此相对定位,并通过在第一电极与第二电极之间产生高压差在基板附近产生等离子体放电以接触基板;该方法包括:选择性地产生等离子体放电,以利用等离子体在基板表面形成图案,从而使与前体气体接触的基板的一部分和与等离子体接触的基板的一部分选择性地重叠。 | ||
搜索关键词: | 用于 沉积 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种利用沉积装置在基板的表面上沉积层的方法,所述沉积装置包括设置有前体供应部和前体排出部的沉积腔,所述沉积腔在使用时由所述沉积装置及基板表面定界,所述方法包括:将来自所述前体供应部的前体气体注入所述沉积腔以接触所述基板表面,将注入的所述前体气体的一部分从所述沉积腔中排出,并沿着所述基板表面的平面使所述沉积腔和所述基板彼此相对定位;所述方法进一步包括:提供第一电极和第二电极,使所述第一电极与所述基板彼此相对定位,并通过在所述第一电极与所述第二电极之间产生高压差而在所述基板附近产生等离子体放电以接触所述基板,其中所述方法包括:在时间和/位置上选择性产生等离子体放电,以利用等离子体在所述基板表面形成图案,从而使所述前体气体接触的所述基板的一部分与所述等离子体接触的所述基板的一部分选择性重叠,所述方法进一步包括:利用设备的载气注射器在所述设备和所述基板表面之间注入载气而形成气体承载层。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的