[发明专利]半导体芯片、半导体晶片以及半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201180011729.3 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102782804A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 内田正雄;林将志 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体芯片(18)是形成有功率半导体装置(10)，且具备由六方晶系半导体构成的半导体基板的半导体芯片(18)，半导体基板在主面上具有矩形形状，对矩形进行规定的2边的长度a以及b相等，并且，半导体基板的与2边平行的方向上的线膨胀系数彼此相等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 晶片 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体芯片，其形成有功率半导体装置，且具备由六方晶系半导体构成的半导体基板，所述半导体基板在主面具有矩形形状，对所述矩形进行规定的2边的长度a以及b相等，并且，所述半导体基板的与所述2边平行的方向上的线膨胀系数彼此相等。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
