[发明专利]焦平面阵列及其制造方法无效
申请号: | 201180012017.3 | 申请日: | 2011-03-01 |
公开(公告)号: | CN102884628A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 阿德里亚娜·勒珀达图;佐蒙德·基特尔斯兰德 | 申请(专利权)人: | 森松诺尔技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 挪威*** | 国省代码: | 挪威;NO |
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摘要: | 本发明公开了形成包括至少一个像素(2)的焦平面阵列的方法,焦平面阵列通过下列步骤来制造:制备具有设置在表面上的传感材料(3)的第一晶片,该表面由第一牺牲层覆盖;制备包括读出集成电路(ROIC)和接触衬垫的第二晶片(9),接触衬垫由第二牺牲层覆盖,在第二牺牲层内形成与接触衬垫接触的一个或多个支撑腿(7),支撑腿覆盖有另一牺牲层;将第一晶片和第二晶片的牺牲层键合在一起,使得当第一晶片的牺牲体层被移除之后,传感材料(3)从第一晶片转移到第二晶片;限定传感材料中的像素(2),并形成穿过像素的传导通孔(28),以提供在像素的最上面的表面与其支撑腿之间的连接;以及移除牺牲层,以释放所述至少一个像素,使得其支撑腿被布置在像素之下。 | ||
搜索关键词: | 平面 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种形成包括一个或多个像素的焦平面阵列的方法,所述焦平面阵列通过下列步骤来制造:制备具有设置在表面上的传感材料的第一晶片,所述表面由第一牺牲层覆盖;制备包括读出集成电路(ROIC)和接触衬垫的第二晶片,所述接触衬垫由第二牺牲层覆盖,在所述第二牺牲层内形成有与所述接触衬垫接触的一个或多个支撑腿,所述支撑腿被另一牺牲层覆盖;将所述第一晶片的牺牲层和所述第二晶片的牺牲层键合在一起,使得当所述第一晶片的牺牲体层被移除之后,所述传感材料从所述第一晶片转移到所述第二晶片;限定在所述一个或多个支撑腿中的每个之上的所述传感材料中的像素,并形成穿过每个像素的传导通孔,所述传导通孔被限定以提供所述像素的最上面的表面与其支撑腿之间的连接;以及移除所述牺牲层,以释放所述一个或多个像素,所述一个或多个像素中的每个被限定,使得其支撑腿被布置成完全在所述像素的所述传感材料之下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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