[发明专利]焦平面阵列及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201180012017.3 申请日: 2011-03-01
公开(公告)号: CN102884628A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 阿德里亚娜·勒珀达图;佐蒙德·基特尔斯兰德 申请(专利权)人: 森松诺尔技术有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 郑小粤
地址: 挪威*** 国省代码: 挪威;NO
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摘要: 发明公开了形成包括至少一个像素(2)的焦平面阵列的方法,焦平面阵列通过下列步骤来制造:制备具有设置在表面上的传感材料(3)的第一晶片,该表面由第一牺牲层覆盖;制备包括读出集成电路(ROIC)和接触衬垫的第二晶片(9),接触衬垫由第二牺牲层覆盖,在第二牺牲层内形成与接触衬垫接触的一个或多个支撑腿(7),支撑腿覆盖有另一牺牲层;将第一晶片和第二晶片的牺牲层键合在一起,使得当第一晶片的牺牲体层被移除之后,传感材料(3)从第一晶片转移到第二晶片;限定传感材料中的像素(2),并形成穿过像素的传导通孔(28),以提供在像素的最上面的表面与其支撑腿之间的连接;以及移除牺牲层,以释放所述至少一个像素,使得其支撑腿被布置在像素之下。
搜索关键词: 平面 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种形成包括一个或多个像素的焦平面阵列的方法,所述焦平面阵列通过下列步骤来制造:制备具有设置在表面上的传感材料的第一晶片,所述表面由第一牺牲层覆盖;制备包括读出集成电路(ROIC)和接触衬垫的第二晶片,所述接触衬垫由第二牺牲层覆盖,在所述第二牺牲层内形成有与所述接触衬垫接触的一个或多个支撑腿,所述支撑腿被另一牺牲层覆盖;将所述第一晶片的牺牲层和所述第二晶片的牺牲层键合在一起,使得当所述第一晶片的牺牲体层被移除之后,所述传感材料从所述第一晶片转移到所述第二晶片;限定在所述一个或多个支撑腿中的每个之上的所述传感材料中的像素,并形成穿过每个像素的传导通孔,所述传导通孔被限定以提供所述像素的最上面的表面与其支撑腿之间的连接;以及移除所述牺牲层,以释放所述一个或多个像素,所述一个或多个像素中的每个被限定,使得其支撑腿被布置成完全在所述像素的所述传感材料之下。
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