[发明专利]在由非晶质碳膜构成的层的固定化方法及层叠体有效
| 申请号： | 201180012024.3 | 申请日： | 2011-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN102892706A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 涩泽邦彦;佐藤刚 | 申请（专利权）人： | 太阳化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;C23C16/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供可在设置于基材上的由非晶质碳膜构成的层，将由与该膜的表面的羟基发生缩合反应的材料构成的层进行固定的、具有充分的保持力和该保持力的均匀性的非晶质碳膜，以及在设置于基材上的由非晶质碳膜构成的层的表面将与该膜的表面的羟基发生缩合反应的材料进行固定的方法。通过使由上述非晶质碳膜构成的层含有Si和O，从而可提高所述由与羟基发生缩合反应的材料构成的层的密合耐久性以及结合状态的均匀性。尤其是通过使用氟系硅烷偶联剂，从而能够赋予疏水/疏油性、耐摩耗性、耐药品性、低摩擦性、非胶粘性等高功能。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶质碳膜 构成 固定 方法 层叠 | ||
【主权项】：
一种固定化方法，其特征在于，是在设置于基材上的由非晶质碳膜构成的层的表面将由与该膜的表面的羟基发生缩合反应的材料构成的层进行固定的方法，其中，通过使所述由非晶质碳膜构成的层含有Si和O，从而提高所述由与羟基发生缩合反应的材料构成的层的密合耐久性及结合状态的均匀性。
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