[发明专利]SOI晶片的设计方法及制造方法有效
| 申请号： | 201180012260.5 | 申请日： | 2011-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN102782851A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 桑原登 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 宋晓宝;郭晓东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是一种SOI晶片的制造方法，其特征在于，所述SOI晶片适合于使用波长λ的曝光光线所进行的光刻，且在埋入式绝缘层上形成有SOI层；并且，所述SOI晶片的制造方法至少具有以下工序：根据对制造后的SOI晶片进行所述光刻时所使用的曝光光线的波长λ，设计所述SOI晶片的埋入式绝缘层的厚度；及，制造在所述设计厚度的埋入式绝缘层上形成有SOI层的SOI晶片。由此，提供一种SOI晶片的设计方法及制造方法，当进行光刻时，可以抑制曝光光线的反射率随着SOI层膜厚变动而变动，并抑制抗蚀剂感光状态的变动。 | ||
| 搜索关键词： | soi 晶片 设计 方法 制造 | ||
【主权项】：
一种SOI晶片的设计方法，其特征在于，所述SOI晶片适合于使用波长λ的曝光光线所进行的光刻，且在埋入式绝缘层上形成有SOI层；并且，根据所述曝光光线的波长λ，设计所述SOI晶片的埋入式绝缘层的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体股份有限公司，未经信越半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201180012260.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：宝石切割机
- 下一篇：高压喷雾镀膜设备的结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
