[发明专利]薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅射靶材以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201180012956.8 | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN102792451A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 森田晋也;钉宫敏洋;前田刚彰;安野聪;寺尾泰昭;三木绫 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张宝荣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在薄膜晶体管的半导体层使用氧化物半导体时，薄膜晶体管的开关特性及应力耐受性良好的薄膜晶体管的半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 半导体 氧化物 溅射 以及 | ||
【主权项】：
一种氧化物，其用于薄膜晶体管的半导体层，其中，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种的元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。
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