[发明专利]MEMS传感器有效
| 申请号： | 201180013009.0 | 申请日： | 2011-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN102792168A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 宫武亨;小林俊宏;宇都宜隆;矢泽久幸;高桥亨 | 申请（专利权）人： | 阿尔卑斯电气株式会社 |
| 主分类号： | G01P15/08 | 分类号： | G01P15/08;B81B3/00;B81C3/00;G01P15/125;H01L23/02;H01L29/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 刘建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种MEMS传感器，特别是能够提高密封接合部的Al-Ge共晶接合界面处的接合强度以及密封气密性。所述MEMS传感器构成为具有：第一基材；第二基材；密封接合部，该密封接合部位于所述第一基材与所述第二基材之间，通过使形成在所述第一基材侧的第一连接金属层和形成在所述第二基材侧的第二连接金属层共晶接合而成，所述密封接合部(50)从所述第一基材侧至所述第二基材侧依次层叠有Ti层(52)、Ta层(53)、由Al或Al合金形成的所述第一连接金属层(54)、以及由Ge形成的所述第二连接金属层(55)。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 | ||
【主权项】：
一种MEMS传感器，其特征在于，具有：第一基材；第二基材；密封接合部，该密封接合部位于所述第一基材与所述第二基材之间，通过使形成在所述第一基材侧的第一连接金属层和形成在所述第二基材侧的第二连接金属层共晶接合而形成，所述密封接合部从所述第一基材侧到所述第二基材侧依次层叠有Ti层、Ta层、由Al或Al合金形成的所述第一连接金属层、由Ge形成的所述第二连接金属层。
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